MX25L1606EM2I是Macronix公司推出的一款16M CMOS閃存芯片，該芯片提供支持多種外圍接口和軟件協(xié)議，它支持連續(xù)的讀寫(xiě)操作，高效、低能耗。該芯片擁有優(yōu)良的安全機(jī)制，如塊保護(hù)、設(shè)OTP獨(dú)立區(qū)等。QQ:1762516767 18675554078，原裝現(xiàn)貨，歡迎交流。（更多詳情）

MX25L1606EM2I的采購(gòu)信息如下：

MX25L1606EM2I的主要功能特性包括：

GENERAL

1、Single Power Supply Operation

    - 2.7 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

2、Serial Peripheral Interface compatible -- Mode 0 and Mode 3

3、8M: 8,388,608 x 1 bit structure or 4,194,304 x 2 bits (Dual Output mode) structure

  16M: 16,777,216 x 1 bit structure or 8,388,608 x 2 bits (Dual Output mode) structure

4、256 Equal Sectors with 4K byte each (8Mb)

  512 Equal Sectors with 4K byte each (16Mb)

  - Any Sector can be erased individually

5、16 Equal Blocks with 64K byte each (8Mb)

  32 Equal Blocks with 64K byte each (16Mb)

  - Any Block can be erased individually

6、Program Capability

   - Byte base

  - Page base (256 bytes)

7、Latch-up protected to 100mA from -1V to Vcc +1V

PERFORMANCE

1、High Performance

  - Fast access time: 86MHz serial clock

  - Serial clock of Dual Output mode : 80MHz 

  - Fast program time: 1.4ms(typ.) and 5ms(max.)/page 

  - Byte program time: 9us (typical)

  - Fast erase time: 60ms(typ.) /sector ; 0.7s(typ.) /block 

2、Low Power Consumption

   - Low active read current: 16Mb: 25mA(max.) at 86MHz; 8Mb: 12mA(max.) at 86MHz

   - Low active programming current: 20mA (max.)

   - Low active erase current: 20mA (max.)

   - Low standby current: 25uA (max.)   

  - Deep power-down mode 5uA (typical)

3、Typical 100,000 erase/program cycles 

4、20 years of data retention 

MX25L1606EM2I的典型應(yīng)用電路如下： 

MX25L1606EM2I的管腳圖如下：

 (以上信息由深圳桑尼奇科技有限公司提供)