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24
2013
07

MT41K256M16 4Gb DDR3 DRAM

        MT41K256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks MT41K512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks MT41K1G4 – 128 Meg x 4 x 8 banks 是低電壓版本,相比1.5v DDR3 SDRAM 而言,其電壓為1.35v,其他各方面參數完全符合DDR3 SDRAM的相關規范。QQ:1762516767 18675554078,原裝現貨,歡迎交流。更多詳情

MT41K256M16 MT41K512M8 MT41K1G4的主要功能特性包括以下:

? VDD = VDDQ = 1.35V (1.2831.45V)

? Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V  Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications

? Differential bidirectional data strobe

? 8n-bit prefetch architecture

? Differential clock inputs (CK, CK#)

? 8 internal banks

? Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals

? Programmable CAS (READ) latency (CL)

? Programmable posted CAS additive latency (AL)

? Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)

? Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])

? Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)

? Self refresh mode

? TC of 0°C to +95°C

 64ms, 8192-cycle refresh at 0°C to +85°C

 32ms at +85°C to +95°C

? Self refresh temperature (SRT)

? Automatic self refresh (ASR)

? Write leveling

? Multipurpose register

? Output driver calibration

MT41K256M16 MT41K512M8 MT41K1G4的管腳圖如下:

image 

MT41K256M16 MT41K512M8 MT41K1G4的采購信息如下,較常用的型號如MT41K256M16HA-125:E

 image

(以上信息由深圳桑尼奇科技有限公司提供)

 

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